在硅太陽能電池板的生產過程中，硅晶體中的應力在制作過程中往往沒有被檢測到，我們描述了一種測量硅錠的應力雙折射儀，它可以是方形的，也可以是生長的，然后被鋸成硅片，當這臺儀器被用作質量控制工具時，在后續加工成本發生之前，可以識別出低質量的硅錠或鋼錠。此外，該儀器還為硅晶體的生長提供了一種提高硅錠質量的工具，使其能夠生產出較薄的硅片，降低了機械產量損失。

Hinds儀器的’Exicor® 雙折射測量系統PV-Si是Exicor雙折射測量系統系列產品的工作平臺的擴展。本系統采用高質量的對稱光彈性調制器、1550 nm激光器和Ge雪崩光電二極管探測器，實現了光伏和半導體工業中硅材料的高精度雙折射測量，除硅外，還可測量藍寶石、碳化硅、硒鋅、鎘等材料。PV-Si鑄錠模型堅固、通用，可容納和測量直徑達8英寸的500毫米粗錠。臺面設計和直觀的自動掃描軟件使該產品成為原材料改進、研發和日常評估的選擇，也是對原始硅錠和其他高技術材料進行評估的選擇。

雙折射（應力）測量系統 EXICOR-PV-Si：前沿靈敏度和重復性

使用HiNDS儀器的光彈性調制器（PEM）技術，該系統可提供高水平的雙折射靈敏度。 此外，PEM提供高速操作，調制頻率為50 kHz。前沿靈敏度和可重復性易于提供亞納米水平的雙折射測量，這對于許多應用至關重要。

雙折射（應力）測量系統 EXICOR-PV-Si：專為簡單、直接的操作而設計

直徑200毫米，長500毫米的鑄錠可以手動或自動繪制并以圖形方式顯示。 一旦樣品被放置在翻譯階段，直觀的軟件指導操作員完成步驟測量過程。 用戶界面軟件計算延遲值和快軸角度，并以各種格式顯示它們。 該軟件還提供文件管理和校準功能。

應用

質量控制計量

由硅和砷化鎵等半導體材料生長的錠料的雙折射測量

主要特點

在低水平雙折射測量中具有高靈敏度
同時測量雙折射幅度和角度
精度重復性
高速測量
光學系統中無移動部件
可變尺寸光學元件的自動映射
光彈調制器技術
簡單、便于用戶使用的操作

Exicor PV-Si通過所研究的光學樣品沿光路徑測量延遲。它旨在測量和顯示樣品光學延遲的幅度和快軸取向。在這個設計中，鑄錠保持固定，并且Exicor源和探測器模塊由電腦控制臺移動。 1550nm激光光束被偏振，然后由源模塊中的PEM調制。調制光束通過樣品傳輸，然后通過檢測器模塊，第二個PEM、分析儀和Ge-APD光電探測器的組合。電子信號通過三個并聯的鎖相放大器進行處理，提供非常低的信號檢測。由Hinds 儀器公司的軟件算法將來自電子模塊的信號電平轉換為可以確定線性雙折射的參數。計算機對數據進行分析，然后顯示遲滯幅度和軸角度并存儲在文件中。當在自動繪圖模式下操作時，源和檢測器模塊將被移動到下一個預定的測量位置。結果以用戶指定的格式即時顯示。